芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技能

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技能,有望解决芯片散热问题。相关研讨成果在线宣布于权威科学期刊《天然·通讯》。

研讨标明,在一个芯片中,半导体资料和绝缘体资料之间,以六方氮化硼为材质的界面资料,将对其电子迁移率和散热发生至关重要的影响。传统方式是,研讨人员先将其在其他“盆”里种出来,然后移栽到芯片资料上。

复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研讨员魏大程带领团队,开发了一种共形六方氮化硼修饰技能,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“成长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技能,能让芯片资料性能显著提高。

专家表明,这一技能具有高普适性,不只可以应用于基于二硒化钨资料的晶体管器件,还可以推广到其他资料和更多器件应用中,共形六方氮化硼也具有规模化出产和应用的巨大潜力。